IT之家4月21日消息，日本半导体制造商ROHM(罗姆)今日宣布其在今年3月成功完成了第5代碳化硅(SiC)MOSFET的开发工作。相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在175℃结温(Tj)下导通电阻降低约30%。

　　罗姆表示，在各类电动汽车(xEV)用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第5代SiC MOSFET有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。

　　罗姆计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。